Технологія

Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND

Компания Toshiba Memory сообщила о начале выпуска новой памяти для твердотельных устройств XL-FLASH. Это флеш-память BiCS FLASH 3D, в которой каждая ячейка хранит один бит. Новинка отличается низкими задержками и высокой производительностью. Первые образцы поступят партнёрам компании в сентябре, а массовое производство стартует в будущем году.Как отмечается, XL-FLASH превосходит обычную флеш-память NAND по производительности, и, как утверждается, устраняет разрыв между NAND и DRAM. Дело в том, что первый тип дешевле, но медленнее оперативной. XL-FLASH же располагается между ними, в том числе по цене.Новая память базируется на кристаллах плотность 128 Гбит, а микросхема может включать два, четыре или восемь кристаллов. Предполагается, что первыми накопителями с новой памятью станут SSD, но затем могут появиться и NVDIMM — модули, подключённые к шине DRAM.Что касается известных параметров, то новинке приписывают размер страницы в 4 КБ (это повышает скорость чтения и записи), а также задержку не более 5 микросекунд, что на порядок меньше, чем у TLC NAND. Правда, количество циклов перезаписи пока не уточняется. А это весьма важный параметр для флеш-памяти. Напомним, что ранее Intel представила универсальные модули памяти Optane DC для серверов. Они позиционируются в качестве гибридных решений для дата-центров и сочетают в себе преимущества модулей ОЗУ и твердотельной памяти.

Related posts
Технологія

Тексты показали, что iPhone 11 Pro уступил iPhone XS по скорости запуска приложений

Технологія

Тесты показали, что iPhone 11 Pro уступил iPhone XS по скорости запуска приложений

Технологія

Опубликованы первые результаты тестов AMD Ryzen 5 3500X

Технологія

Монитор Dell Alienware AW2720HF предназначен для геймеров

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *