Технологія

SK Hynix представила готовые SSD на 128-слойных чипах 3D NAND

Ещё летом SK Hynix объявила о скором запуске производства 128-слойной памяти NAND Flash. Теперь же появились инженерные образцы микросхем памяти ёмкостью 1 Тбит типа UFS 3.1. Эта память ляжет в основу коммерческих и корпоративных SSD-накопителей.Память найдёт применение в смартфонах, SSD форм-фактора M.2 2280 ёмкостью до 2 ТБ и так далее. В продажу готовые изделия поступят в начале 2020 года.В новых накопителях применяется фирменный контроллер, а в UFS 3.1 задействована технология Write Booster, которая удваивает скорость линейной записи. Это позволяет скопировать фильм «весом» в 15 ГБ за 20 секунд. В цифрах же скорость последовательной передачи данных заявлена на уровне 1200 МБ/сек.Отдельно отмечается, что новинкам хватит напряжения в 1,2 В, то есть общая мощность составляет всего 3 Вт (у предыдущей модели она равна 6 Вт).А SSD корпоративного уровня в форм-факторе E1.L может похвастаться объёмом 16 ТБ. Он поддерживает скорость последовательного чтения на уровне 3400 МБ/сек, записи — 3000 МБ/сек. Они выйдут в продажу во второй половине 2020 года. Цены не уточнятся.

Related posts
Технологія

Windows 10 научили звонить по мобильному телефону

Технологія

MSI представила карты Radeon RX 5500 XT

Технологія

Складной смартфон Oppo оснастят адаптивной ОС

Технологія

Президент Huawei: смартфоны с HarmonyOS выйдут в 2020

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *